|
|
|
新型電信基礎設施使用 4G/5G 小型基站和同步以太網絡來增加網絡數據容量;這些系統中使用大功率元件,會有很高和不斷變化的熱負載。當溫度快速變化時,高精度時鐘元件的動態性能就會成為這類型設備的關鍵要求。MEMS技術在動態環境下原本表現就比較好,已成為石英技術完美替代方案。
型號 | 頻率范圍 | 電壓范圍 | 精度 | 溫度范圍 | 尺寸 | 封裝 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SiT5021 | 1-220 MHz | 2.5, 3.3, 2.25-3.63V | ±5ppm | -20 to +70, -40 to +85℃ | 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0mm | SMD | ![]() |
SiT5022 | 220-625 MHz | 2.5, 3.3, 2.25-3.63V | ±5ppm | -20 to +70, -40 to +85℃ | 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0mm | SMD | ![]() |
版權所有:北京晶圓電子有限公司
備案號:京ICP備13034140號-3